近日，我校新材料与能源学院（表面微纳米材料研究所）杨晓刚博士等对氧化铁（α-Fe2O3）半导体中光生载流子的传输、复合机制进行了深入研究。研究成果发表在2016年6月美国化学会期刊ACS Applied Materials & Interfaces上。

在典型的半导体光电器件中，n-型半导体受光激发时能够在价带产生空穴、导带产生电子，进一步在内建电场的作用下传输到半导体/空气界面和半导体/FTO界面。通常的观点认为半导体的导电性是载流子迁移、扩散距离的决定因素，因此许多其他研究组通过控制Sn掺杂、氧空位来调节氧化铁的掺杂浓度。与此不同，本工作利用我校的瞬态表面光电压和导电原子力显微镜等设备，证明通过预还原-再氧化两步法能够同时提高氧化铁的微观导电性、降低氧化铁/FTO界面的载流子复合。其中氧空位导致的Sn、Fe原子在界面的相互扩散由Liu Rui博士采用X-射线光电子能谱的深度剖析得以证实。该研究结果对于如何提高半导体中光生载流子的传输与界面组成调控具有重要价值，对于光电器件的性能提高具有重要意义。

本研究由我校与加州理工学院Liu Rui博士和波士顿学院的Wang Dunwei教授合作完成，其中2013级本科生王珂负责制备了氧化铁薄膜。相关研究者得到了许昌学院科研启动基金、国家自然科学基金、河南省教育厅重点研究项目等资助。

全文链接：http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acsami.6b04213